本公司主要经营：西门子S72/3/400、S71200、S71500全系列，触摸屏6AV，DP接头，6XV总线电缆，通讯模块6GK系列，SITOP电源6EP系列。变频调速器MM4,6RA70,6RA80系列及各种附件板子6SE7090，C98043等系列，6SE70，MM4系列及变频调速器配件。数控伺服6SN,6FC,S120,G120。产品全新原装，质保一年

6ES7334-0CE01-0AA0移动所需的时间。。本例中I/O 要求400mA 的24VDC 电源，但是CPU 只 能提供280mA。西门子S7-300系列的常用组件主要有电源模块（1）、CPU模块（1）、开关量模块（2）、开关量输出模块（2）、模拟量输入模块（2）、模拟量输出模块。说明如下：1．电源模块：PS307—5A；为PLC系统提供稳定的24V直流电源。2．CPU模块：CPU314；是系统的核心负责程序的运行，数据的存储与处理，与上位机的通讯和数据的传输。3．开关量输入模块：SM321；可进行32路开关量的检测，输入信号为24V有效，若输入为无源触点，可利用电源模块提供24V驱动信号。

绝缘栅双极型晶体管 IGBT 是由 MOSFET 和双极型晶体管复合而成的一种器件 , 其输入极为 MOSFET, 输出极为 PNP 晶体管 , 因此 , 可以把其看作是 MOS 输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点 , 既具有 MOSFET 器件驱动简单和快速的优点 , 又具有双极型器件容量大的优点 , 因而 , 在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。
在中大功率的开关电源装置中 ,IGBT 由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点 , 已逐步取代晶闸管或 GTO 。但是在开关电源装置中 , 由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下 , 使得它容易损坏 , 另外 , 电源作为系统的前级 , 由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大 , 故 IGBT 的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而 , 在选择 IGBT 时除了要作降额考虑外 , 对 IGBT 的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。

IGBT：
1、可以等效为（或理解为）：场效应管与大功率三极管组成的复合管。
2、特性类似于场效应管。输入阻抗非常高，输出阻抗低，驱动功率非常小，主要是结电容引起的驱动电流、放大倍数高。
3、开关频率较高，耐压高、通流能力强（额定电流大）。
4、主要用于：变频器（逆变）、电磁炉，中、大功率逆变、氩弧焊机等、高频电源

IGBT模块FD300R12KE3
IGBT模块CM400HA-24A
IGBT模块FZ1200R16KF4_S1
IGBT模块6SY7000-0AC37
IGBT模块FZ1200R12KF5
IGBT模块6SY7000-0AC77
IGBT模块FF150R12KE3G
IGBT模块1MBI300SA-120B-52
IGBT模块1MBI200SA-120B-52
IGBT模块SKIIP 11NAB063T42
IGBT模块FF200R12KE3
IGBT模块BSM25GP120
IGBT模块FZ1000R12KF5
IGBT模块6SY7000-0AC80
IGBT模块6SY7000-0AD33
IGBT模块FZ1000R16KF4
IGBT模块6SY7000-0AD04
IGBT模块6SY7000-0AC85
IGBT模块SKM200GB128D
IGBT模块FZ2400R17KE3

6ES7334-0CE01-0AA0当基本机架不能满足系统要求时，可通过扩展机架对系统进行扩展，扩展方式有两种： 注意事项：因为打开的传感器端子(S+和S-)，输出电压被调节到*值140mV(用于10V)。，有哪些注意事项？ 如果要将两个FM352-5互连，在6ES7352-5AH10-0AE0（P型沉 （1）表中未标注“只有进口模块”注释的其它模块都有进口与国产两种类型的模块??? （2）EM223中输入/输出类型中：24VDC/24VDC-0.75A是指：输入类型是直流24V, 输出类型是直流24V且*每点电流为0.75A topofpage 模块技术规范 在使用S7-200数字量模块时，我们需要了解模块的很多的具体参数，如：输入输 出类型、输入输出的点数、模块功耗﹑输入/输出点额定电流等，您可以在以下文档中 获得这些具体参数： 《S7-200可编程控制器系统手册》附录A技术规范表A-12至表A-14 如何查询西门子产品的技术数据，请点击?查看 在众多参数中，需要特别提醒您注意模块的以下两个重要参数： ?模块的电源消耗 输出点的切换频率 参数1：模块的电源消耗：主要指模块对5V电源和24V电源的消耗能力。

IGBT 的等效电路如图 1 所示。由图 1 可知 , 若在 IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压 , 则 MOSFET 导通 , 这样 PNP 晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通 ; 若 IGBT 的栅极和发射极之间电压为 0V, 则 MOSFET 截止 , 切断 PNP 晶体管基极电流的供给 , 使得晶体管截止
由此可知 ,IGBT 的安全可靠与否主要由以下因素决定：
—— IGBT 栅极与发射极之间的电压 ;

如果 IGBT 栅极与发射极之间的电压 , 即驱动电压过低 , 则 IGBT 不能稳定正常地工作 , 如果过高过栅极－发射极之间的耐压则 IGBT 可能*性损坏 ; 同样 , 如果加在 IGBT 集电极与发射极允许的电压过集电极－发射极之间的耐压 , 流过 IGBT 集电极－发射极的电流过集电极－发射极允许的*电流 ,IGBT 的结温过其结温的允许值 ,IGBT 都可能会*性损坏。

6ES7334-0CE01-0AA0不同的模式选择开关： S7-200系列PLC输入/输出扩展模块的主要技术性能如表2所示。

2  保护措施
在进行电路设计时 , 应针对影响 IGBT 可靠性的因素 , 有的放矢地采取相应的保护措施。
2 ． 1 IGBT 栅极的保护
IGBT 的栅极－发射极驱动电压 VGE 的保证值为 ± 20V, 如果在它的栅极与发射极之间加上出保证值的电压 , 则可能会损坏 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外 , 若 IGBT 的栅极与发射极间开路 , 而在其集电极与发射极之间加上电压 , 则随着集电极电位的变化 , 由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在 , 使得栅极电位升高 , 集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时 , 可能会使 IGBT 发热甚至损坏。如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开 , 在不被察觉的情况下给主电路加上电压 , 则 IGBT 就可能会损坏。为防止此类情况发生 , 应在 IGBT 的栅极与发射极间并接一只几十 k Ω 的电阻 , 此电阻应尽量靠近栅极与发射极。如图 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 双极晶体管的复合体 , 特别是其栅极为 MOS 结构 , 因此除了上述应有的保护之外 , 就像其他 MOS 结构器件一样 ,IGBT 对于静电压也是十分敏感的 , 故而对 IGBT 进行装配焊接作业时也必须注意以下事项：

2  集电极与发射极间的过压保护
过电压的产生主要有两种情况 , 一种是施加到 IGBT 集电极－发射极间的直流电压过高 , 另一种为集电极－发射极上的浪涌电压过高。
2.2.1  直流过电压
直流过压产生的原因是由于输入交流电源或 IGBT 的前一级输入发生异常所致。解决的办法是在选取 IGBT 时 , 进行降额设计 ; 另外 , 可在检测出这一过压时分断 IGBT 的输入 , 保证 IGBT 的安全。
2.2.2  浪涌电压的保护
因为电路中分布电感的存在 , 加之 IGBT 的开关速度较高 , 当 IGBT 关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时 , 就会产生很大的浪涌电压 Ldi/dt, 威胁 IGBT 的安全。

6ES7334-0CE01-0AA0封命令后，由P402输入给定速度，电机转动。 图2-6所示为参考电位接地的结构（用接地滑块来实现）。

6SX7010-0FJ00 SLB通讯板西门子安装说明：