庫號(hào)：D397453   

高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)（F28-75）及標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553-1997設(shè)計(jì)制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測(cè)量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，硅單晶壽命測(cè)量ρ≥3Ω·cm，由于對(duì)樣塊體形無嚴(yán)格要求，因此應(yīng)用于工廠的常規(guī)測(cè)量。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。
參數(shù)
（1）電阻率測(cè)量范圍ρ≥3Ω·cm，壽命測(cè)試范圍：5~10000μs
（2）光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率＞25次/s 脈寬≥60μs 光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜1μs
紅外光源波長：1.06μm（測(cè)量硅單晶），如測(cè)量鍺單晶壽命需另行配置適當(dāng)波長的光源。
脈沖電源：～12A
（3）高頻源
頻率：30MHz 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
（4） 放大器和檢波器
頻率響應(yīng)：2Hz～3MHz
壽命測(cè)試范圍：5~10000μs
按測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)對(duì)儀器設(shè)備的要求，本儀器設(shè)備配有：
（5）讀數(shù)方式：可選配載流子壽命測(cè)試軟件系統(tǒng)或數(shù)字示波器讀數(shù)，軟件系統(tǒng)測(cè)試操作簡單，點(diǎn)擊“測(cè)量”即可，自動(dòng)保存數(shù)據(jù)及相應(yīng)測(cè)試點(diǎn)衰減波形到數(shù)據(jù)庫，可進(jìn)行查詢歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。

高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)（F28-75）及標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553-1997設(shè)計(jì)制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測(cè)量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，硅單晶壽命測(cè)量ρ≥3Ω·cm，由于對(duì)樣塊體形無嚴(yán)格要求，因此應(yīng)用于工廠的常規(guī)測(cè)量。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。
參數(shù)
（1）電阻率測(cè)量范圍ρ≥3Ω·cm，壽命測(cè)試范圍：5~10000μs
（2）光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率＞25次/s 脈寬≥60μs 光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜1μs
紅外光源波長：1.06μm（測(cè)量硅單晶），如測(cè)量鍺單晶壽命需另行配置適當(dāng)波長的光源。
脈沖電源：～12A
（3）高頻源
頻率：30MHz 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
（4） 放大器和檢波器
頻率響應(yīng)：2Hz～3MHz
壽命測(cè)試范圍：5~10000μs
按測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)對(duì)儀器設(shè)備的要求，本儀器設(shè)備配有：
（5）讀數(shù)方式：可選配載流子壽命測(cè)試軟件系統(tǒng)或數(shù)字示波器讀數(shù)，軟件系統(tǒng)測(cè)試操作簡單，點(diǎn)擊“測(cè)量”即可，自動(dòng)保存數(shù)據(jù)及相應(yīng)測(cè)試點(diǎn)衰減波形到數(shù)據(jù)庫，可進(jìn)行查詢歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。